Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

Significant Effects of the D − Band on the Hall Coefficient and the Hall Mobility of n‐InP

Рік:
2019
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.10 MB
english, 2019
2

Analysis of the experimental data for impurity-band conduction in Mn-doped InSb

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 318 KB
english, 2016
3

Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 380 KB
english, 2016
4

Anomaly in the in-plane polarization properties of (110)-oriented quantum wells under [110] uniaxial stress

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 703 KB
english, 1993
5

Level anticrossing and related giant optical anisotropy caused by the Stark effect in a strained (110) quantum well

Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 521 KB
english, 1994
7

Reappraisal of Conduction and Hall Effect Due to Impurity Hubbard Bands in Weakly Compensated n -GaAs

Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.09 MB
english, 2018
12

As quantum wells

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 196 KB
english, 1993
13

Analysis of low-temperature data of Hall-effect measurements on p-type InP using a small-polaron theory

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 517 KB
english, 2016
14

Two acceptor levels and hopping conduction in Mn-doped GaAs

Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.21 MB
english, 2017
17

Mechanism of arsenic incorporation growth of gallium arsenide on gallium-covered surfaces

Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 513 KB
english, 1992
28

Influence of Barrier Layers on Optical Anisotropy of (110)-Oriented Strained Quantum Wells

Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 108 KB
english, 2002